IGBT 1200V - 3-Level Inverter
Información básica:
Fabricante de la marca | SK150MLIT12F4TE2 |
Kategorie | IGBT Full Silicon |
Configuración: | 3-level NPC Inverter |
Construcción: | 4*IGBT+6*D |
Número de circuitos | 4 ks |
Tipo de caso: | Modul |
Caso [inch] : | SEMITOP-E2 |
Tipo de material: | Si-Silicon |
Material Base | Ceramic |
RoHS | Sí |
REACH | No |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Embalaje y peso:
Unidad: | pcs |
Peso: | 34 [g] |
Tipo de envase: | BOX |
Paquete pequeño (Número de unidades): | 10 |
Parámetros electrofísicos:
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 149 [A] |
Idc max (Tc/Ta=70÷79°C) | 119 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 2500 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 1.4 [VDC] |
UCE (sat) (@25°C) | 2.05 [V] |
Qg (Total Gate Charge) | 849 [nC] |
Cin/CL Load Capacitance | 8310 pF |
Parámetros térmicos y mecánicos:
Tmin (temperatura mínima de trabajo) | -40 [°C] |
Tmax (temperatura de trabajo máxima) | 125 [°C] |
Rthjc1 IGBT | 0.91 [°C/W] |
Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.51 [°C/W] |
L - Longitud | 57 [mm] |
W - Ancho | 63 [mm] |
H - Altura | 17 [mm] |