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TG 650HF17H2-S300

IGBT 1700V / 650A

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TG 650HF17H2-S300 Dynex Semiconductor
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TG 650HF17H2-S300 Dynex Semiconductor
TG 650HF17H2-S300 Dynex Semiconductor
pcs
ID Code:182871
Fabricante:Dynex Semiconductor
Precio con IVA : 615,878285 €
Precio sin IVA : 508,990318 €
VAT:21 %
Disponibilidad:En la acción
Stock total:29 pcs
Fabricante de la marca: TG650HF17H2-S300
Almacén central Zdice: 29 pcs
Unidad:: pcs
Resumen de descuentos por volumen
Cantidad (pcs)Precio sin IVAPrecio con IVA
1 + 508,990318 €615,878285 €
3 + 496,265560 €600,481328 €
6 + 470,816044 €569,687413 €
12 + 432,641770 €523,496542 €
IGBT 1700V / 650A

Información básica:

Fabricante de la marcaTG650HF17H2-S300 
Tipo de componente:IGBT 
KategorieIGBT Full Silicon 
Configuración:Half Bridge 1*(Phase Leg) 
Construcción:2*(IGBT+D) 
Número de circuitos 2 ks
Tipo de caso:Modul 
Caso [inch] :PrimePACK2 
Tipo de material:Si-Silicon 
Material BaseCu 
RoHSSí 
REACHNo 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Embalaje y peso:

Unidad:pcs 
Peso:990 [g]
Tipo de envase:BOX 
Paquete pequeño (Número de unidades):
Paquete grande (CAJA):12 

Parámetros electrofísicos:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)650 [A]
Idc max (Tc/Ta=90÷99°C)650 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)1.9 [VDC]
UCE (sat) (@25°C)1.85 [V]
I2t (TC/TA=25°C)64000 [A2s]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)4160  [W]
trr recovery time (If=Inom.,@25°C)240 [ns]
tr (Turn-on / rise time)170 [ns]
tf (turn-off=fall time)360 [ns]
Qg (Total Gate Charge)7700 [nC]
Cin/CL Load Capacitance83000 pF

Parámetros térmicos y mecánicos:

Dimensiones (L*W*H) [mm]:172x89x38 
Tmin (temperatura mínima de trabajo)-40 [°C]
Tmax (temperatura de trabajo máxima)150 [°C]
Rthjc1 IGBT0.03 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.054 [°C/W]
L - Longitud 172 [mm]
W - Ancho 89 [mm]
H - Altura 38 [mm]

Alternativas y sustitutos

Alternativa 1:184924 - DIM 650H2HS17-PA500 (DYN) 
Productos alternativos 1:FF650R17IE4D 
Productos alternativos 2:2MBI650VXA-17E 

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