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TG650HF17H2-S300

IGBT 1700V / 650A

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TG650HF17H2-S300 Dynex Semiconductor
TG650HF17H2-S300 Dynex Semiconductor
pcs
ID Code:182871
Fabricante:Dynex Semiconductor
Precio con IVA : 587,9356 €
Precio sin IVA : 485,8972 €
VAT:21 %
Disponibilidad:a petición
Stock total:0 pcs
Fabricante de la marca: TG650HF17H2-S300
Unidad:: pcs
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IGBT 1700V / 650A

Información básica:

Fabricante de la marcaTG650HF17H2-S300 
Type of casing:!_mod_! 
Caso:!_primepack2_! 
Tipo de componente:!_no info_! 
Configuración:!_half bridge_! 
RoHSSí 
REACH!_ne_! 
NOVINKA

Parámetros eléctricos:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1700 [V]
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)650 [A]
Idc max (Tc/Ta=90÷99°C)650 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)1.9 [VDC]
UCE (sat) (@25°C)1.85 [V]
I2t (TC/TA=25°C)64 [1000*A2s]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)4160  [W]
Input Logic Level (Ugs level)15V 
trr recovery time (If=Inom.,@25°C)240 [ns]
tr (Turn-on / rise time)170 [ns]
tf (turn-off=fall time)360 [ns]
Ft (transition/operation frequency) (@Inom.)0.01 [MHz]
Qg (Total Gate Charge)7700 [nC]
Cin/CL Load Capacitance83000 pF

Material, color, diseño:

Tipo de material:Cu base 
Material: Carcasa!_si-silicon_! 

Parámetros térmicos y mecánicos:

Tmin (temperatura mínima de trabajo)-40 [°C]
Tmax (temperatura de trabajo máxima)150 [°C]
Rthjc1 IGBT0.03 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.054 [°C/W]

Dimensiones:

PIN dimensiones0.00 [mm]

Embalaje y peso:

Unidad:pcs 
Peso:900 [g]
Embalaje:10 

Alternativas y sustitutos

Productos alternativos 1:FF650R17IE4D 
Productos alternativos 2:2MBI650VXA-17E 

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