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TIM1200DDM17-TSA000

Dual Switch IGBT Module 1700V

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TIM1200DDM17-TSA000 Dynex Semiconductor
TIM1200DDM17-TSA000 Dynex Semiconductor
pcs
ID Code:183040
Fabricante:Dynex Semiconductor
Precio con IVA : 816,708160 €
Precio sin IVA : 674,965422 €
VAT:21 %
Disponibilidad:En la acción
Stock total:33 pcs
Fabricante de la marca: TIM1200DDM17-TSA000
Almacén central Zdice: 33 pcs
Unidad:: pcs
Resumen de descuentos por volumen
Cantidad (pcs)Precio sin IVAPrecio con IVA
1 + 674,965422 €816,708161 €
3 + 658,091286 €796,290456 €
6 + 624,343015 €755,455048 €
12 + 573,720609 €694,201937 €
IGBT 1700V Dual

Información básica:

Fabricante de la marcaTIM1200DDM17-TSA000 
KategorieIGBT Full Silicon 
Configuración:single 2*(T+D) 
Construcción:2*(IGBT+D) 
Número de circuitos 2 ks
Tipo de caso:Modul 
Caso [inch] :MODUL-D 
Tipo de material:Si-Silicon 
Material BaseALSiC 
RoHSSí 
REACHNo 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Embalaje y peso:

Unidad:pcs 
Peso:1185.5 [g]
Tipo de envase:BOX 
Paquete pequeño (Número de unidades):
Paquete grande (CAJA):

Parámetros electrofísicos:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)1200 [A]
Idc max (Tc/Ta=70÷79°C)1200 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)2.3 [VDC]
UCE (sat) (@25°C)2.5 [V]
I2t (TC/TA=25°C)130000 [A2s]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)5680  [W]
tr (Turn-on / rise time)230 [ns]
tf (turn-off=fall time)400 [ns]
Qg (Total Gate Charge)11600 [nC]
Cin/CL Load Capacitance109000 pF

Parámetros térmicos y mecánicos:

Dimensiones (L*W*H) [mm]:130x140x38 
Tmin (temperatura mínima de trabajo)-40 [°C]
Tmax (temperatura de trabajo máxima)150 [°C]
Rthjc1 IGBT0.022 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.044 [°C/W]
L - Longitud 130 [mm]
W - Ancho 140 [mm]
H - Altura 38 [mm]

Alternativas y sustitutos

Alternativa 1:172421 - CM1200DC-34N (MIT) 
Alternativa 2:171483 - FF1200R17KP4_B2 (INF) 
Alternativa 3:185065 - DIM1200DDM17-PT500 (DYN) 
Productos alternativos 1:CM1200DC-34S 
Productos alternativos 2:2MBI1200VT-170E 
Productos alternativos 3:MBM1200E17D 
Productos alternativos 4:GD1200SGL170C3S 

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