High Speed IGBT 1200V above 15kHz
Información básica:
Fabricante de la marca | DAGNH1501200 |
Kategorie | IGBT Full Silicon |
Configuración: | Half Bridge 1*(Phase Leg) |
Construcción: | 2*(IGBT+D) |
Número de circuitos | 2 ks |
Tipo de caso: | Modul |
Caso [inch] : | HW-9434 |
Tipo de material: | Si-Silicon |
Material Base | Cu |
RoHS | Sí |
REACH | No |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Embalaje y peso:
Unidad: | pcs |
Peso: | 167.7 [g] |
Tipo de envase: | BOX |
Paquete pequeño (Número de unidades): | 64 |
Parámetros electrofísicos:
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 300 [A] |
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 150 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 3600 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 1.8 [VDC] |
UCE (sat) (@25°C) | 2.6 [V] |
Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 780 [W] |
trr recovery time (If=Inom.,@25°C) | 150 [ns] |
tr (Turn-on / rise time) | 160 [ns] |
tf (turn-off=fall time) | 60 [ns] |
Cin/CL Load Capacitance | 28000 pF |
Parámetros térmicos y mecánicos:
Tmin (temperatura mínima de trabajo) | -40 [°C] |
Tmax (temperatura de trabajo máxima) | 150 [°C] |
Rthjc1 IGBT | 0.2 [°C/W] |
Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.35 [°C/W] |
L - Longitud | 94 [mm] |
W - Ancho | 34 [mm] |
H - Altura | 30 [mm] |
Alternativas y sustitutos
Alternativa 1: | 181827 - SKM100GB12F4 (SMK) |