MOSFET 150V / 150A Half Bridge
Información básica:
Fabricante de la marca | DAMH220N150 |
Tipo de componente: | FET Tranzistor |
Kategorie | FET N-Channel |
Configuración: | Half Bridge |
Especificación: | Enhancement Mode |
Construcción: | 2*FET-BD |
Número de circuitos | 2 ks |
Tipo de caso: | Modul |
Caso [inch] : | HB-9434 |
Tipo de material: | Si-Silicon |
Material Base | Cu+AL2O3 |
RoHS | Sí |
REACH | No |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Embalaje y peso:
Unidad: | pcs |
Peso: | 185 [g] |
Tipo de envase: | BOX |
Paquete pequeño (Número de unidades): | 12 |
Parámetros electrofísicos:
Udc (URRM, UCEO, Umax) | 150 [V] |
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C) | 150 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 2500 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 0.85 [VDC] |
Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 273 [W] |
Rds(on) 10V (Ugs=10V) | 6.7 [mΩ] |
trr recovery time (If=Inom.,@25°C) | 210 [ns] |
tr (Turn-on / rise time) | 42 [ns] |
tf (turn-off=fall time) | 40 [ns] |
f max | 40 [kHz] |
Qg (Total Gate Charge) | 258 [nC] |
Cin/CL Load Capacitance | 30050 pF |
Parámetros térmicos y mecánicos:
Dimensiones (L*W*H) [mm]: | 94x34x30 |
Tmin (temperatura mínima de trabajo) | -50 [°C] |
Tmax (temperatura de trabajo máxima) | 150 [°C] |
Rthjc (case) | 0.23 [°C/W] |
L - Longitud | 94 [mm] |
W - Ancho | 34 [mm] |
H - Altura | 30 [mm] |