IGBT 1200V
ID Code: | 183411 |
Fabricante: | Dynex Semiconductor |
Precio con IVA : | 262,526358 € |
Precio sin IVA : | 216,963932 € |
VAT: | 21 % |
Disponibilidad: | a petición |
Stock total: | 0 pcs |
Fabricante de la marca: | TG600HF12M1-S3A00 |
Unidad:: | pcs |
Resumen de descuentos por volumen | Cantidad (pcs) | Precio sin IVA | Precio con IVA | |
1 + | 216,963932 € | 262,526358 € | ||
3 + | 207,530717 € | 251,112168 € | ||
6 + | 188,664289 € | 228,283790 € | ||
12 + | 169,797860 € | 205,455411 € |
Fabricante de la marca | TG600HF12M1-S3A00 |
Kategorie | IGBT Full Silicon |
Configuración: | Half Bridge 1*(Phase Leg) |
Construcción: | 1*(IGBT+D)+D |
Número de circuitos | 2 ks |
Tipo de caso: | Modul |
Caso [inch] : | SEMiX-3p |
Tipo de material: | Si-Silicon |
Material Base | Cu |
RoHS | Sí |
REACH | No |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Unidad: | pcs |
Peso: | 450 [g] |
Tipo de envase: | BOX |
Paquete pequeño (Número de unidades): | 10 |
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 600 [A] |
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 600 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 2500 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 1.9 [VDC] |
UCE (sat) (@25°C) | 1.7 [V] |
I2t (TC/TA=25°C) | 4600 [A2s] |
Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 3000 [W] |
tr (Turn-on / rise time) | 92 [ns] |
tf (turn-off=fall time) | 280 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 6100 [nC] |
Cin/CL Load Capacitance | 57000 pF |
Dimensiones (L*W*H) [mm]: | 150x62x21 |
Tmin (temperatura mínima de trabajo) | -40 [°C] |
Tmax (temperatura de trabajo máxima) | 150 [°C] |
Rthjc1 IGBT | 0.049 [°C/W] |
Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.077 [°C/W] |
L - Longitud | 150 [mm] |
W - Ancho | 62 [mm] |
H - Altura | 21 [mm] |