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TG 600HF12M1-S3A00
IGBT 1200V
| ID Code: | 183411 |
| Fabricante: | Dynex Semiconductor |
| Precio con IVA : | 262,526358 € |
| Precio sin IVA : | 216,963932 € |
| VAT: | 21 % |
| Disponibilidad: | a petición |
| Stock total: | 0 pcs |
| Fabricante de la marca: | TG600HF12M1-S3A00 |
| Unidad:: | pcs |
| Resumen de descuentos por volumen | Cantidad (pcs) | Precio sin IVA | Precio con IVA | |
| 1 + | 216,963932 € | 262,526358 € | ||
| 3 + | 207,530717 € | 251,112168 € | ||
| 6 + | 188,664289 € | 228,283790 € | ||
| 12 + | 169,797860 € | 205,455411 € |
IGBT 1200V
Información básica:
| Fabricante de la marca | TG600HF12M1-S3A00 |
| Kategorie | IGBT Full Silicon |
| Configuración: | Half Bridge 1*(Phase Leg) |
| Construcción: | 1*(IGBT+D)+D |
| Número de circuitos | 2 ks |
| Tipo de caso: | Modul |
| Caso [inch] : | SEMiX-3p |
| Tipo de material: | Si-Silicon |
| Material Base | Cu |
| RoHS | Sí |
| REACH | No |
| NOVINKA | N |
| RoHS1 | Ano |
Embalaje y peso:
| Unidad: | pcs |
| Peso: | 450 [g] |
| Tipo de envase: | BOX |
| Paquete pequeño (Número de unidades): | 10 |
Parámetros electrofísicos:
| IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 600 [A] |
| Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 600 [A] |
| Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 2500 [V] |
| UF (maximum forward voltage) | 1.9 [VDC] |
| UCE (sat) (@25°C) | 1.7 [V] |
| I2t (TC/TA=25°C) | 4600 [A2s] |
| Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 3000 [W] |
| tr (Turn-on / rise time) | 92 [ns] |
| tf (turn-off=fall time) | 280 [ns] |
| Qg (Total Gate Charge) | 6100 [nC] |
| Cin/CL Load Capacitance | 57000 pF |
Parámetros térmicos y mecánicos:
| Dimensiones (L*W*H) [mm]: | 150x62x21 |
| Tmin (temperatura mínima de trabajo) | -40 [°C] |
| Tmax (temperatura de trabajo máxima) | 150 [°C] |
| Rthjc1 IGBT | 0.049 [°C/W] |
| Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.077 [°C/W] |
| L - Longitud | 150 [mm] |
| W - Ancho | 62 [mm] |
| H - Altura | 21 [mm] |