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ACR3200VR33

Bypass Thyristor 3300V/3200A for the protection of IGBT modules in VSC multi-level applications

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ACR3200VR33 Dynex Semiconductor
ACR3200VR33 Dynex Semiconductor
ACR3200VR33 Dynex Semiconductor
pcs
ID Code:183764
Fabricante:Dynex Semiconductor
Precio con IVA : 936,650869 €
Precio sin IVA : 774,091627 €
VAT:21 %
Disponibilidad:a petición
Stock total:0 pcs
Fabricante de la marca: ACR3200VR33
Unidad:: pcs
Resumen de descuentos por volumen
Cantidad (pcs)Precio sin IVAPrecio con IVA
1 + 774,091627 €936,650869 €
3 + 754,739336 €913,234597 €
6 + 716,034755 €866,402054 €
12 + 657,977883 €796,153238 €
The Dynex Bypass Thyristor range of devices is specially designed for the protection of IGBT modules in Voltage Source Converter multi-level applications, where a reduced forward blocking voltage is required. Very Low Cosmic Ray FIT Rating, High Surge Capability, High dv/dt Rating
The primary characteristic of the bypass thyristor which determines current diversion from the IGBT diode is dynamic on-state voltage, with overall turn-on time a secondary influence. Highly optimised, Low FIT, low Vt, 3.3kV and 4.5kV bypass thyristor devices have been produced for VSC protection.
Voltage Source Converter (VSC) technology provides a number of advantages over traditional (LCC) HVDC including self-commutation, small footprint, and black start capability and is becoming increasingly popular in applications such as offshore wind.With higher voltage systems, where the current handling capability of the IGBT diode is reduced, effective current diversion becomes essential.

Información básica:

Fabricante de la marcaACR3200VR33 
Tipo de componente:Trisil 
KategorieTrisil-Overvoltage Protection 
Configuración:single TY 
Tipo de caso:PUK 
Caso [inch] :PUK110/73x27T 
Tipo de material:Si-Silicon 
RoHSSí 
REACHNo 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Embalaje y peso:

Unidad:pcs 
Peso:1200 [g]
Tipo de envase:BOX 
Paquete pequeño (Número de unidades):

Parámetros electrofísicos:

Idc max (Tc/Ta=60÷69°C)3200 [A]
du/dt (critical rate of rise of on-state voltage)10000 [V/µs]
di/dt (critical rate of rise of on-state current)400 [A/µs]
I2t (TC/TA=25°C)9050000 [A2s]
tf (turn-off=fall time)3000 [ns]

Parámetros térmicos y mecánicos:

Tmin (temperatura mínima de trabajo)-40 [°C]
Tmax (temperatura de trabajo máxima)125 [°C]
Rthjc (case)0.00746 [°C/W]
D - Diámetro externo 110 [mm]
H - Altura 27 [mm]
Fmin:48000 [N]
Fmax:59000 [N]

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H.CD01/102/28kN/L180 H.CD01/102/28kN/L180   Clamps 28kN, Axial Length L1=102mm, Length L=180mm
ID: 107043   Fabricante no.: CD01/102/28kN/L180  
a petición
Fabricante: PADA engineering  
Todos los precios aparecen sin IVA y no incluyen los costos, que se sumarán a la orden como un elemento independiente de envío.

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