1200V Mosfet SiC, 36A / TO-247
Información básica:
Fabricante de la marca | C2M0080120D |
Tipo de componente: | SiC MOSFET Tranzistor |
Kategorie | Full SiC (MOS-BD) |
Configuración: | single 1*(T-BD) |
Especificación: | SiC Enhancement Mode MOSF |
Construcción: | 1*FET-BD |
Tipo de caso: | SMD |
Caso [inch] : | TO-247AD_3 |
Tipo de material: | SiC Full |
RoHS | Sí |
REACH | No |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Embalaje y peso:
Unidad: | pcs |
Peso: | 7.2 [g] |
Tipo de envase: | TUBE |
Paquete pequeño (Número de unidades): | 25 |
Parámetros electrofísicos:
Udc (URRM, UCEO, Umax) | 1200 [V] |
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C) | 24 [A] |
Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 192 [W] |
Input Logic Level (Ugs level) | 20V |
trr recovery time (If=Inom.,@25°C) | 45 [ns] |
tr (Turn-on / rise time) | 20 [ns] |
tf (turn-off=fall time) | 19 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 62 [nC] |
Cin/CL Load Capacitance | 2788 pF |
Parámetros térmicos y mecánicos:
Dimensiones (L*W*H) [mm]: | TO-247 |
Tmin (temperatura mínima de trabajo) | -55 [°C] |
Tmax (temperatura de trabajo máxima) | 150 [°C] |
Rthjc (case) | 0.27 [°C/W] |
Rthja (ambient) | 40 [°C/W] |
RM - Ráster | 5.45 [mm] |
Number of Pins | 3 |
D - Diámetro externo | 3.65 [mm] |
L - Longitud | 21 [mm] |
W - Ancho | 16 [mm] |
H - Altura | 5 [mm] |
PIN dimensiones | 1,4 [mm] |
Lv - Length of outlets | 19.8 [mm] |
Alternativas y sustitutos
Alternativa 1: | 185662 - MSC080SMA120B (MCH) |
Productos alternativos 1: | MSC080SMA120B4 |
Productos alternativos 2: | MSC080SMA120B |