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IXFN60N80P

800V Power MOSFET

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IXFN60N80P Ixys
IXFN60N80P Ixys
IXFN60N80P Ixys
pcs
ID Code:181387
Fabricante:Ixys
Precio con IVA : 42,5948 €
Precio sin IVA : 35,2023 €
VAT:21 %
Disponibilidad:a petición
Stock total:0 pcs
Fabricante de la marca: IXFN60N80P
Almacén central Zdice: 0 pcs
Almacén externo (tiempo de entrega 5÷10 días): 0 pcs
Unidad:: pcs
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CantidadPrecio sin IVAPrecio con IVA
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5 + 33,1896 €40,1594 €
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20 + 28,1783 €34,0957 €
800V Power MOSFET

Información básica:

Fabricante de la marcaIXFN60N80P 
KategorieFET N-Channel 
Tipo de componente:!_n_fet 1x single_! 
Configuración:!_single 1*(t+d)_! 
Tipo de material:!_si-silicon_! 
RoHSSí 
REACHNo 
Type of casing:MODUL 
Caso:SOT-227 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Embalaje y peso:

Unidad:pcs 
Peso:0.09 [g]
Tipo de envase:TUBE 
Paquete pequeño (Número de unidades):10 

Parámetros electrofísicos:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 800 [V]
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)53 [A]
Idc max (Tc/Ta=25°C)53 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)1040  [W]
Input Logic Level (Ugs level)10V 
Rds(on) 10V (Ugs=10V)140 [mΩ]
trr recovery time (If=Inom.,@25°C)250 [ns]
Qg (Total Gate Charge)250 [nC]

Parámetros térmicos y mecánicos:

Tmin (temperatura mínima de trabajo)-55 [°C]
Tmax (temperatura de trabajo máxima)150 [°C]
Rthjc (case)0.12 [°C/W]
PIN dimensiones0.00 [mm]

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