Trans MOSFET N-CH 800V 53A 4-Pin SOT-227B
ID Code: | 181387 |
Fabricante: | Ixys |
Precio con IVA : | 52,215768 € |
Precio sin IVA : | 43,153527 € |
VAT: | 21 % |
Disponibilidad: | a petición |
Stock total: | 0 pcs |
Fabricante de la marca: | IXFN60N80P |
Unidad:: | pcs |
Resumen de descuentos por volumen | Cantidad (pcs) | Precio sin IVA | Precio con IVA | |
1 + | 43,153527 € | 52,215768 € | ||
3 + | 41,809919 € | 50,590002 € | ||
5 + | 40,466311 € | 48,964236 € | ||
10 + | 39,122703 € | 47,338471 € |
Fabricante de la marca | IXFN60N80P |
Tipo de componente: | FET Tranzistor |
Kategorie | FET N-Channel |
Configuración: | Single 1*(T-BD) |
Especificación: | Enhancement Mode |
Construcción: | 1*FET-BD |
Número de circuitos | 1 ks |
Tipo de caso: | Modul |
Caso [inch] : | SOT-227 |
Tipo de material: | Si-Silicon |
RoHS | Sí |
REACH | No |
NOVINKA | A |
RoHS1 | Ano |
Unidad: | pcs |
Peso: | 36 [g] |
Tipo de envase: | TUBE |
Paquete pequeño (Número de unidades): | 10 |
Udc (URRM, UCEO, Umax) | 800 [V] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 2500 [V] |
Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 1040 [W] |
Input Logic Level (Ugs level) | 10V |
Rds(on) 10V (Ugs=10V) | 140 [mΩ] |
trr recovery time (If=Inom.,@25°C) | 250 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 250 [nC] |
Dimensiones (L*W*H) [mm]: | 38.1*25.3*12.0 |
Tmin (temperatura mínima de trabajo) | -55 [°C] |
Tmax (temperatura de trabajo máxima) | 150 [°C] |
Rthjc (case) | 0.12 [°C/W] |
RM - Ráster | 15 [mm] |
RM1 - Espaciado de filas | 12.7 [mm] |
D - Diámetro externo | 4.1 [mm] |
L - Longitud | 38.1 [mm] |
W - Ancho | 25.3 [mm] |
H - Altura | 12 [mm] |
Alternativa 1: | 188935 - APT58M80J (MCH) |