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IXFN60N80P

Trans MOSFET N-CH 800V 53A 4-Pin SOT-227B

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IXFN60N80P Ixys
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IXFN60N80P Ixys
pcs
ID Code:181387
Fabricante:Ixys
Precio con IVA : 52,215768 €
Precio sin IVA : 43,153527 €
VAT:21 %
Disponibilidad:a petición
Stock total:0 pcs
Fabricante de la marca: IXFN60N80P
Unidad:: pcs
Resumen de descuentos por volumen
Cantidad (pcs)Precio sin IVAPrecio con IVA
1 + 43,153527 €52,215768 €
3 + 41,809919 €50,590002 €
5 + 40,466311 €48,964236 €
10 + 39,122703 €47,338471 €


Información básica:

Fabricante de la marcaIXFN60N80P 
Tipo de componente:FET Tranzistor 
KategorieFET N-Channel 
Configuración:Single 1*(T-BD) 
Especificación:Enhancement Mode 
Construcción:1*FET-BD 
Número de circuitos 1 ks
Tipo de caso:Modul 
Caso [inch] :SOT-227 
Tipo de material:Si-Silicon 
RoHSSí 
REACHNo 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Embalaje y peso:

Unidad:pcs 
Peso:36 [g]
Tipo de envase:TUBE 
Paquete pequeño (Número de unidades):10 

Parámetros electrofísicos:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 800 [V]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)1040  [W]
Input Logic Level (Ugs level)10V 
Rds(on) 10V (Ugs=10V)140 [mΩ]
trr recovery time (If=Inom.,@25°C)250 [ns]
Qg (Total Gate Charge)250 [nC]

Parámetros térmicos y mecánicos:

Dimensiones (L*W*H) [mm]:38.1*25.3*12.0 
Tmin (temperatura mínima de trabajo)-55 [°C]
Tmax (temperatura de trabajo máxima)150 [°C]
Rthjc (case)0.12 [°C/W]
RM - Ráster15 [mm]
RM1 - Espaciado de filas 12.7 [mm]
D - Diámetro externo 4.1 [mm]
L - Longitud 38.1 [mm]
W - Ancho 25.3 [mm]
H - Altura 12 [mm]

Alternativas y sustitutos

Alternativa 1:188935 - APT58M80J (MCH) 

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