Ublock=180V, Uswitch=190÷215V ,Thyristor SIDAC
Información básica:
Fabricante de la marca | K2000G |
Tipo de componente: | Diac |
Kategorie | Diode Diac |
Configuración: | single |
Especificación: | Si-Silicon |
Tipo de caso: | THT |
Caso [inch] : | D-3.0x 6.3 |
RoHS | Sí |
REACH | No |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Embalaje y peso:
Unidad: | pcs |
Peso: | 0.44 [g] |
Paquete pequeño (Número de unidades): | 1000 |
Parámetros electrofísicos:
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 1 [A] |
UBR / UZ nominal | 180 [V] ?UBR nominal value - Breakdown Voltage @ IT (Test Current) |
du/dt (critical rate of rise of on-state voltage) | 1500 [V/µs] |
di/dt (critical rate of rise of on-state current) | 150 [A/µs] |
Parámetros térmicos y mecánicos:
Dimensiones (L*W*H) [mm]: | D=3x6 |
Tmin (temperatura mínima de trabajo) | -40 [°C] |
Tmax (temperatura de trabajo máxima) | 125 [°C] |
Rthja (ambient) | 75 [°C/W] |
Number of Pins | 2 |
D - Diámetro externo | 3 [mm] |
L - Longitud | 6.3 [mm] |
PIN dimensiones | d=0,80 [mm] |
Lv - Length of outlets | 28.1 [mm] |
Alternativas y sustitutos
Alternativa 1: | - TPA200 &ST () |