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MBR1100RLG /p
100V 1A/85°C 50A/10ms 0.68V/1A/125° , Rthjl 80°C/W
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| ID Code: | 132272 |
| Fabricante: | ON Semiconductor (Farchild) |
| Precio: | a petición |
| VAT: | 21 % |
| Disponibilidad: | a petición |
| Stock total: | 0 pcs |
| Fabricante de la marca: | MBR1100RLG |
| Unidad:: | pcs |
| Resumen de descuentos por volumen | Cantidad (pcs) | Precio sin IVA | Precio con IVA |
100V 1A/85°C 50A/10ms 0.68V/1A/125° , Rthjl 80°C/W
Información básica:
| Fabricante de la marca | MBR1100RLG |
| Tipo de componente: | Diode Schottky Silicon |
| Kategorie | Diode Schottky Axial |
| Configuración: | single (1D) |
| Número de circuitos | 1 ks |
| Tipo de caso: | THT |
| Caso [inch] : | D-2.6x5.1 |
| Tipo de material: | Si-Silicon |
| RoHS | Sí |
| REACH | No |
| NOVINKA | N |
| RoHS1 | Ano |
Embalaje y peso:
| Unidad: | pcs |
| Peso: | 0.34 [g] |
| Tipo de envase: | BOX |
| Paquete pequeño (Número de unidades): | 5000 |
Parámetros electrofísicos:
| IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 1 [A] |
| IF(AV) (Tc/Ta=100÷119°C) | 1 [A] |
| UF (maximum forward voltage) | 0.79 [VDC] |
| IR (reverse current) | 500 [µA] |
| du/dt (critical rate of rise of on-state voltage) | 10000 [V/µs] |
Parámetros térmicos y mecánicos:
| Dimensiones (L*W*H) [mm]: | D=2.6x5.1 |
| Tmin (temperatura mínima de trabajo) | -40 [°C] |
| Tmax (temperatura de trabajo máxima) | 150 [°C] |
| Number of Pins | 2 |
| D - Diámetro externo | 2.6 [mm] |
| L - Longitud | 5.1 [mm] |
| PIN dimensiones | d=0,80 [mm] |
| Lv - Length of outlets | 28.7 [mm] |
Alternativas y sustitutos
| Alternativa 1: | - SB1100 /p DI () |
| Productos alternativos 1: | SB1100 |