35V 8A/88°C Uf=0.41V/8A/125°C ,single diode
Información básica:
Fabricante de la marca | MBRD835LG |
Tipo de componente: | Diode Schottky Silicon |
Kategorie | Diode Schottky SMD |
Configuración: | single (1D) |
Número de circuitos | 1 ks |
Tipo de caso: | SMD |
Caso [inch] : | DPAK |
Tipo de material: | Si-Silicon |
RoHS | Sí |
REACH | No |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Embalaje y peso:
Unidad: | pcs |
Peso: | 0.36 [g] |
Tipo de envase: | TUBE |
Paquete pequeño (Número de unidades): | 75 |
Parámetros electrofísicos:
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 8 [A] |
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 8 [A] |
UF (maximum forward voltage) | 0.51 [VDC] |
IR (reverse current) | 1400 [µA] |
du/dt (critical rate of rise of on-state voltage) | 10000 [V/µs] |
Parámetros térmicos y mecánicos:
Tmin (temperatura mínima de trabajo) | -65 [°C] |
Tmax (temperatura de trabajo máxima) | 150 [°C] |
Rthjc (case) | 2.8 [°C/W] |
Rthja (ambient) | 80 [°C/W] |
L - Longitud | 6.5 [mm] |
W - Ancho | 2.3 [mm] |
H - Altura | 6.1 [mm] |