SiC Schottky Barrier Diodes SiC 1200V 12A/135°C
Información básica:
Fabricante de la marca | MSC010SDA120B |
Type of casing: | THT |
Caso: | TO-247AC-2 |
Kategorie | Diode Schottky THT |
Tipo de componente: | !_diode schottky sic_! |
Configuración: | 1xDiode |
Número de circuitos | 1 ks |
Tipo de material: | !_sic full_! |
Brecha (por número de producto) | 999.99 [mm] |
RoHS | Sí |
REACH | No |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Embalaje y peso:
Unidad: | pcs |
Peso: | 6.2 [g] |
Tipo de envase: | TUBE |
Paquete pequeño (Número de unidades): | 30 |
Parámetros electrofísicos:
Udc (URRM, UCEO, Umax) | 1200 [V] |
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C) | 25 [A] |
Idc max (Tc/Ta=25°C) | 25 [A] |
IF(AV) (Tc/Ta=130÷139°C) | 12 [A] |
IF(AV) (Tc/Ta=140÷149°C) | 9 [A] |
UF (maximum forward voltage) | 1.8 [VDC] |
du/dt (critical rate of rise of on-state voltage) | 999999 [V/µs] |
Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 115 [W] |
Parámetros térmicos y mecánicos:
Tmin (temperatura mínima de trabajo) | -55 [°C] |
Tmax (temperatura de trabajo máxima) | 175 [°C] |
Rthjc2 Dioda, Tyristor | 1.3 [°C/W] |
Number of Pins | 2 |
PIN dimensiones | 0.00 [mm] |
Alternativas y sustitutos
Productos alternativos 1: | C4D10120H |