1200V Mosfet SiC, 37A / TO-247 -4L
Información básica:
Fabricante de la marca | MSC080SMA120B4 |
Type of casing: | THT |
Caso: | !_to-247ac_4_! |
Kategorie | Full SiC (MOS+D) |
Tipo de componente: | !_n-mosfet_! |
Configuración: | single Transistor |
Tipo de material: | !_sic full_! |
RoHS | Sí |
REACH | No |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Embalaje y peso:
Unidad: | pcs |
Peso: | 8.1 [g] |
Tipo de envase: | TUBE |
Paquete pequeño (Número de unidades): | 30 |
Parámetros electrofísicos:
Udc (URRM, UCEO, Umax) | 1200 [V] |
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C) | 37 [A] |
Idc max (Tc/Ta=25°C) | 37 [A] |
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C) | 26 [A] |
Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 200 [W] |
Input Logic Level (Ugs level) | 20V |
Rds(on) 10V (Ugs=10V) | 100 [mΩ] |
trr recovery time (If=Inom.,@25°C) | 34 [ns] |
tr (Turn-on / rise time) | 4 [ns] |
tf (turn-off=fall time) | 15 [ns] |
Ft (transition/operation frequency) (@Inom.) | 0.1 [MHz] |
Qg (Total Gate Charge) | 64 [nC] |
Cin/CL Load Capacitance | 838 pF |
Parámetros térmicos y mecánicos:
Tmin (temperatura mínima de trabajo) | -55 [°C] |
Tmax (temperatura de trabajo máxima) | 175 [°C] |
Rthjc (case) | 0.27 [°C/W] |
Rthjc1 IGBT | 0.47 [°C/W] |
Number of Pins | 3 |
PIN dimensiones | 0.00 [mm] |
Alternativas y sustitutos
Productos alternativos 1: | MSC080SMA120B |
Productos alternativos 2: | C2M008012D |