1200 V, 80 mOhm SiC MOSFET in a TO-268 (D3PAK) package, Id = 35A
ID Code: | 187563 |
Fabricante: | Microchip Technology |
Precio con IVA : | 19,624036 € |
Precio sin IVA : | 16,218212 € |
VAT: | 21 % |
Disponibilidad: | a petición |
Stock total: | 0 pcs |
Fabricante de la marca: | MSC080SMA120S |
Almacén central Zdice: | 0 pcs |
Unidad:: | pcs |
Resumen de descuentos por volumen | Cantidad (pcs) | Precio sin IVA | Precio con IVA | |
1 + | 16,218212 € | 19,624036 € | ||
5 + | 15,543478 € | 18,807609 € | ||
10 + | 13,708778 € | 16,587621 € | ||
25 + | 13,085726 € | 15,833728 € |
Fabricante de la marca | MSC080SMA120S |
Tipo de componente: | SiC MOSFET Tranzistor |
Kategorie | Full SiC (MOS-BD) |
Configuración: | single 1*(T-BD) |
Especificación: | SiC N-Channel MOSFET |
Construcción: | 1*FET-BD |
Tipo de caso: | SMD |
Caso [inch] : | TO-268AA |
Tipo de material: | SiC Full |
RoHS | Sí |
REACH | No |
NOVINKA | A |
RoHS1 | Ano |
Unidad: | pcs |
Peso: | 4.2 [g] |
Tipo de envase: | TUBE |
Paquete pequeño (Número de unidades): | 30 |
Udc (URRM, UCEO, Umax) | 1200 [V] |
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C) | 25 [A] |
Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 182 [W] |
Input Logic Level (Ugs level) | 20V |
trr recovery time (If=Inom.,@25°C) | 34 [ns] |
tr (Turn-on / rise time) | 4 [ns] |
tf (turn-off=fall time) | 15 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 64 [nC] |
Cin/CL Load Capacitance | 838 pF |
Dimensiones (L*W*H) [mm]: | TO-268 |
Tmin (temperatura mínima de trabajo) | -55 [°C] |
Tmax (temperatura de trabajo máxima) | 175 [°C] |
Rthjc (case) | 0.27 [°C/W] |
Rthjc1 IGBT | 0.83 [°C/W] |
RM - Ráster | 5.45 [mm] |
Number of Pins | 3 |
L - Longitud | 15 [mm] |
W - Ancho | 16 [mm] |
H - Altura | 5 [mm] |
PIN dimensiones | 1,32 [mm] |
Lv - Length of outlets | 3.81 [mm] |
Productos alternativos 1: | C3M0032120J1 |