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MSCSM120AM042CD3AG

MOSFET 1200V Full SiC MOS + SiC Diode

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MSCSM120AM042CD3AG Microsemi / Microchip Technology
MSCSM120AM042CD3AG Microsemi / Microchip Technology
pcs
ID Code:185289
Fabricante:Microsemi / Microchip Technology
Precio con IVA : 1 204,0545 €
Precio sin IVA : 995,0864 €
VAT:21 %
Disponibilidad:a petición
Stock total:0 pcs
Fabricante de la marca: MSCSM120AM042CD3AG
Almacén central Zdice: 0 pcs
Almacén externo (tiempo de entrega 5÷10 días): 0 pcs
Unidad:: pcs
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CantidadPrecio sin IVAPrecio con IVA
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5 + 953,6276 €1 153,8894 €
10 + 912,1689 €1 103,7244 €
25 + 870,7102 €1 053,5593 €
MOSFET 1200V Full SiC Low Stray Inductance Phase Leg SiC The following are the features of
. SiC Power MOSFET
. Low RDS(on)
. High temperature performance
. Silicon carbide (SiC) Schottky diode
. Zero reverse recovery
. Zero forward recovery
. Temperature-independent switching behavior
. Positive temperature coefficient on VF
. Kelvin source for easy drive
. Low stray inductance
. M6 power connectors
. Aluminum nitride (AlN) substrate for improved thermal performance

Información básica:

Fabricante de la marcaMSCSM120AM042CD3AG 
Type of casing:MODUL 
Caso:SEMITRANS-3 
KategorieFull SiC (MOS+D) 
Tipo de componente:!_n-mosfet_! 
Configuración:!_half bridge_! 
Tipo de material:!_sic full_! 
Material BaseCu 
RoHSSí 
REACHSí 
NOVINKA
RoHS1Ano 
UL94V-0 

Embalaje y peso:

Unidad:pcs 
Peso:350 [g]
Tipo de envase:BOX 
Paquete pequeño (Número de unidades):

Parámetros electrofísicos:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V]
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)495 [A]
Idc max (Tc/Ta=25°C)495 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)395 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)1.8 [VDC]
IR (reverse current)12 [µA]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)2031  [W]
Input Logic Level (Ugs level)20V 
Rds(on) 10V (Ugs=10V)5.2 [mΩ]
trr recovery time (If=Inom.,@25°C)90 [ns]
tr (Turn-on / rise time)55 [ns]
tf (turn-off=fall time)67 [ns]
Ft (transition/operation frequency) (@Inom.)0.06 [MHz]
Qg (Total Gate Charge)1392 [nC]
Cin/CL Load Capacitance18100 pF

Parámetros térmicos y mecánicos:

Tmin (temperatura mínima de trabajo)-40 [°C]
Tmax (temperatura de trabajo máxima)175 [°C]
Rthjc (case)0.075 [°C/W]
Rthjc1 IGBT0.074 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.175 [°C/W]
PIN dimensiones0.00 [mm]

Alternativas y sustitutos

Alternativa 1:176372 - CAS300M12BM2 (WO) 
Alternativa 2:174576 - SKM350MB120SCH17 (SMK) 
Productos alternativos 1:MD400HFR120C2S 
Productos alternativos 2:FF3MR12KM1 

!_souvisejici zbozi_! - MSCSM120AM042CD3AG

I+SEMITRANS3- 62x106=005W-AL I+SEMITRANS3- 62x106=005W-AL   Thermally Conductive Pad for insulated Packages as SEMITRANS-3 and in size 62x106mm
ID: 176035   Fabricante no.: F05-AL2-62x106mm  
Cantidad [pcs]1+10+50+100+
EUR/pcs1,72741,65071,61231,4203
Stock total: 761
Fabricante: -  
RoHS
Todos los precios aparecen sin IVA y no incluyen los costos, que se sumarán a la orden como un elemento independiente de envío.

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