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MSCSM120AM31CTBL1NG

SiC Mosfet Power Module 1200V 79A 310W Case BL1

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MSCSM120AM31CTBL1NG Microchip Technology
MSCSM120AM31CTBL1NG Microchip Technology
MSCSM120AM31CTBL1NG Microchip Technology
MSCSM120AM31CTBL1NG Microchip Technology
pcs
ID Code:189857
Fabricante:Microchip Technology
Precio con IVA : 260,146401 €
Precio sin IVA : 214,997025 €
VAT:21 %
Disponibilidad:a petición
Stock total:0 pcs
Fabricante de la marca: MSCSM120AM31CTBL1NG
Unidad:: pcs
Resumen de descuentos por volumen
Cantidad (pcs)Precio sin IVAPrecio con IVA
1 + 214,997025 €260,146401 €
5 + 206,038816 €249,306967 €
10 + 197,080607 €238,467534 €
25 + 188,122397 €227,628101 €


Información básica:

Fabricante de la marcaMSCSM120AM31CTBL1NG 
Tipo de componente:SiC MOSFET Tranzistor 
KategorieFull SiC (MOS-BD+D) 
Configuración:Half Bridge 1*(Phase Leg) 
Especificación:!_sic n-channel mosfet_! 
Construcción:2*FET-BD+2*D 
Tipo de material:SiC Full 
RoHSSí 
REACHNo 
Type of casing:MODUL 
Caso:!_bl1_! 
NOVINKA
RoHS1Ano 
UL94V-0 

Embalaje y peso:

Unidad:pcs 
Peso:16.2 [g]
Paquete pequeño (Número de unidades):1000 

Parámetros electrofísicos:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V]
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)79 [A]
Idc max (Tc/Ta=25°C)79 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)63 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
UF (maximum forward voltage)1.8 [VDC]
IR (reverse current)10 [µA]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)310  [W]
Rds(on) 10V (Ugs=10V)31 [mΩ]
trr recovery time (If=Inom.,@25°C)90 [ns]
tr (Turn-on / rise time)30 [ns]
tf (turn-off=fall time)25 [ns]
Qg (Total Gate Charge)232 [nC]
Cin/CL Load Capacitance3020 pF

Parámetros térmicos y mecánicos:

Tmin (temperatura mínima de trabajo)-55 [°C]
Tmax (temperatura de trabajo máxima)175 [°C]
Rthjc1 IGBT0.483 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.854 [°C/W]
W - Ancho 25.6 [mm]
L - Longitud 40.3 [mm]
H - Altura 9.3 [mm]
Rozměry/Velikost (LxWxH)40x26x9 [mm]
Lv - Length of outlets5.8 [mm]

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