SiC Mosfet Power Module 1200V 150A 560W Case BL3
ID Code: | 189856 |
Fabricante: | Microchip Technology |
Precio con IVA : | 951,2266 € |
Precio sin IVA : | 786,1377 € |
VAT: | 21 % |
Disponibilidad: | a petición |
Stock total: | 0 pcs |
Fabricante de la marca: | MSCSM120HM16CTBL3NG |
Unidad:: | pcs |
!_prehled mnozstevnich slev_! | Cantidad | Precio sin IVA | Precio con IVA | |
1 + | 786,1377 € | 951,2266 € | ||
5 + | 753,3820 € | 911,5922 € | ||
10 + | 720,6263 € | 871,9578 € | ||
25 + | 687,8706 € | 832,3234 € |
Fabricante de la marca | MSCSM120HM16CTBL3NG |
Tipo de componente: | SiC MOSFET Tranzistor |
Kategorie | Full SiC (MOS-BD+D) |
Configuración: | Bridge 1f |
Especificación: | !_sic n-channel mosfet_! |
Construcción: | 4*FET-BD+4*D |
Tipo de material: | SiC Full |
RoHS | Sí |
REACH | No |
Type of casing: | MODUL |
Caso: | !_bl3_! |
NOVINKA | A |
RoHS1 | Ano |
UL94 | V-0 |
Unidad: | pcs |
Peso: | 39 [g] |
Paquete pequeño (Número de unidades): | 1 |
Udc (URRM, UCEO, Umax) | 1200 [V] |
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C) | 150 [A] |
Idc max (Tc/Ta=25°C) | 150 [A] |
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 120 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 2500 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 1.8 [VDC] |
IR (reverse current) | 20 [µA] |
Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 560 [W] |
Rds(on) 10V (Ugs=10V) | 16 [mΩ] |
trr recovery time (If=Inom.,@25°C) | 90 [ns] |
tr (Turn-on / rise time) | 30 [ns] |
tf (turn-off=fall time) | 25 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 464 [nC] |
Cin/CL Load Capacitance | 6040 pF |
Tmin (temperatura mínima de trabajo) | -55 [°C] |
Tmax (temperatura de trabajo máxima) | 175 [°C] |
Rthjc1 IGBT | 0.268 [°C/W] |
Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.45 [°C/W] |
W - Ancho | 52.6 [mm] |
L - Longitud | 47.5 [mm] |
H - Altura | 9.3 [mm] |
Rozměry/Velikost (LxWxH) | 48x53x9 [mm] |
Lv - Length of outlets | 5.8 [mm] |