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MSCSM120HM16CTBL3NG

SiC Mosfet Power Module 1200V 150A 560W Case BL3

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MSCSM120HM16CTBL3NG Microchip Technology
MSCSM120HM16CTBL3NG Microchip Technology
MSCSM120HM16CTBL3NG Microchip Technology
pcs
ID Code:189856
Fabricante:Microchip Technology
Precio con IVA : 951,2266 €
Precio sin IVA : 786,1377 €
VAT:21 %
Disponibilidad:a petición
Stock total:0 pcs
Fabricante de la marca: MSCSM120HM16CTBL3NG
Unidad:: pcs
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CantidadPrecio sin IVAPrecio con IVA
1 + 786,1377 €951,2266 €
5 + 753,3820 €911,5922 €
10 + 720,6263 €871,9578 €
25 + 687,8706 €832,3234 €


Información básica:

Fabricante de la marcaMSCSM120HM16CTBL3NG 
Tipo de componente:SiC MOSFET Tranzistor 
KategorieFull SiC (MOS-BD+D) 
Configuración:Bridge 1f 
Especificación:!_sic n-channel mosfet_! 
Construcción:4*FET-BD+4*D 
Tipo de material:SiC Full 
RoHSSí 
REACHNo 
Type of casing:MODUL 
Caso:!_bl3_! 
NOVINKA
RoHS1Ano 
UL94V-0 

Embalaje y peso:

Unidad:pcs 
Peso:39 [g]
Paquete pequeño (Número de unidades):

Parámetros electrofísicos:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V]
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)150 [A]
Idc max (Tc/Ta=25°C)150 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)120 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
UF (maximum forward voltage)1.8 [VDC]
IR (reverse current)20 [µA]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)560  [W]
Rds(on) 10V (Ugs=10V)16 [mΩ]
trr recovery time (If=Inom.,@25°C)90 [ns]
tr (Turn-on / rise time)30 [ns]
tf (turn-off=fall time)25 [ns]
Qg (Total Gate Charge)464 [nC]
Cin/CL Load Capacitance6040 pF

Parámetros térmicos y mecánicos:

Tmin (temperatura mínima de trabajo)-55 [°C]
Tmax (temperatura de trabajo máxima)175 [°C]
Rthjc1 IGBT0.268 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.45 [°C/W]
W - Ancho 52.6 [mm]
L - Longitud 47.5 [mm]
H - Altura 9.3 [mm]
Rozměry/Velikost (LxWxH)48x53x9 [mm]
Lv - Length of outlets5.8 [mm]

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