Vyberte lokalitu pro doručení   Jazyk:    Měna:    
V košíku nemáte žádné položky

MSCSM120TAM31CT3AG

SiC MOSFET 1200V / 71A SixPack

ks
ID Code:186279
Výrobce:Microchip Technology
Cena s DPH : 13 367,354000 Kč
Cena bez DPH : 11 047,400000 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:na dotaz
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: MSCSM120TAM31CT3AG
Dodací lhůta výrobce: 42wk-49wk ?

Očekávaná dodací lhůta

Jednotka:: ks
Přehled množstevních slev
Počet (ks)Cena bez DPHCena s DPH
1 + 11 047,400000 Kč13 367,354000 Kč
5 + 10 587,080000 Kč12 810,366800 Kč
10 + 10 126,780000 Kč12 253,403800 Kč
25 + 9 666,470000 Kč11 696,428700 Kč
SiC MOSFET 1200V / 71A SixPack
Zařízení MSCSM120TAM31CT3AG je navrženo pro následující aplikace: • Nepřerušitelné napájecí zdroje • Spínané napájecí zdroje • Elektromotor a trakční pohon • Svařovací invertory.
• SiC Power MOSFET - Full SiC power Mosfet, Nízké Rdson, rychlé spínání, SiC Schottkyho dioda, Nulové zpětné zotavení, Nulové dopředné zotavení, Chování spínání nezávislé na teplotě, Kladný teplotní koeficient na VF, Velmi nízká rozptylová indukčnost, Vnitřní termistor pro sledování teploty, Velmi nízká rozptylová indukčnost, Vnitřní termistor pro sledování teploty, AlN substrát pro lepší tepelný přenos, Vysoce účinný převodník, • Velmi nízká zbloudilá indukčnost

Základní informace:

Značení výrobceMSCSM120TAM31CT3AG 
Dodací lhůta výrobce42wk-49wk [wk] ?

Očekávaná dodací lhůta

Typ součástky:SiC MOSFET Tranzistor 
KategorieFull SiC (MOS-BD+D) 
Konfigurace:Bridge 3f  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Specifikace:SiC N-Channel MOSFET 
Konstrukce:6*FET-BD+6*D 
Typ pouzdra:Modul 
Pouzdro [inch] :SP3F 
Typ materiálu:SiC Full 
RoHSAno 
REACHNe 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:125 [g]
Typ balení:BOX 
Malé balení (počet jednotek):

Elektro-fyzikální parametry:

UDS 1200 [V] ?

Udc - definice pro součástky


Udc = URRM - Dioda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)71 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)1.8 [VDC] ?

Testovací podmínky:
Ta=25°C, IF=In/Imax

Pmax s chladičem (TC=25°C)395 [W]
Input Logic Level (UGS level)20V 
tr (Turn-on / rise time)30 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)25 [ns]
Qg (Total Gate Charge)232 [nC]
Cin (Input Capacitance)3020 [pF]

Teplotní a mechanické parametry:

Rozměry (L*W*H) [mm]:73x43x12 
Tmin (minimální pracovní teplota)-40 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)125 [°C]
Rth-c (tepelný odpor)0.075 [°C/W] ?

Rth-c - definice pro různé součástky


Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro

Rth-c - folie plocha inch2

Rthjc1 IGBT0.38 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.9 [°C/W]
RM - Rozteč vývodů3.81 [mm]
RM1 - Rozteč řad vývodů 38 [mm]
L - Délka 73.4 [mm]
W - Šířka 42.5 [mm]
H - Výška 12 [mm]
Rozměry vývodů1,35 [mm]
Lv - Délka vývodů5.3 [mm]

Alternativy a náhrady

Alternativa 1:183781 - CCS050M12CM2 (CRE) 
Podobné výrobky 1:CCB032M12FM3 

Potřebujete poradit ? MSCSM120TAM31CT3AG Microchip Technology

Vaše jméno, příjmení, firma
Váš email
Váš telefon
Váš dotaz
     Více informací




pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace