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MSCSM120TAM31CT3AG

SiC MOSFET 1200V / 71A SixPack

pcs
ID Code:186279
Fabricante:Microchip Technology
Precio con IVA : 516,9675 €
Precio sin IVA : 427,2458 €
VAT:21 %
Disponibilidad:a petición
Stock total:0 pcs
Fabricante de la marca: MSCSM120TAM31CT3AG
Almacén central Zdice: 0 pcs
Almacén externo (tiempo de entrega 5÷10 días): 0 pcs
Unidad:: pcs
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CantidadPrecio sin IVAPrecio con IVA
1 + 427,2458 €516,9675 €
5 + 409,4434 €495,4265 €
10 + 391,6414 €473,8861 €
25 + 373,8398 €452,3462 €
SiC MOSFET 1200V / 71A SixPack
The MSCSM120TAM31CT3AG device is designed for the following applications: • Uninterruptible Power Supplies • Switched Mode Power Supplies • EV motor and traction drive • Welding converters
• SiC Power MOSFET , High speed switching, Low RDS(on), Ultra low loss
• SiC Schottky Diode, Zero reverse recovery, Zero forward recovery, Temperature Independent switching behavior, Positive temperature coefficient on VF
• Very low stray inductance • Kelvin source for easy drive • Internal thermistor for temperature monitoring • Aluminum nitride (AlN) substrate for improved thermal performance

Información básica:

Fabricante de la marcaMSCSM120TAM31CT3AG 
KategorieFull SiC (MOS+D) 
Tipo de componente:!_sic mosfet+sic schottky diode_! 
Configuración:!_full bridge 3f_! 
Construcción:!_6*fet+6*d_! 
Tipo de material:!_sic full_! 
Material BaseCu+AlN 
RoHSSí 
REACHNo 
Type of casing:MODUL 
Caso:!_modul-sp3f_! 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Embalaje y peso:

Unidad:pcs 
Peso:110 [g]
Tipo de envase:BOX 
Paquete pequeño (Número de unidades):

Parámetros electrofísicos:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V]
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)89 [A]
Idc max (Tc/Ta=25°C)89 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)71 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)1.8 [VDC]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)395  [W]
Input Logic Level (Ugs level)20V 
Rds(on) 10V (Ugs=10V)31 [mΩ]
tr (Turn-on / rise time)30 [ns]
tf (turn-off=fall time)25 [ns]
Qg (Total Gate Charge)232 [nC]
Cin/CL Load Capacitance3020 pF

Parámetros térmicos y mecánicos:

Tmin (temperatura mínima de trabajo)-40 [°C]
Tmax (temperatura de trabajo máxima)125 [°C]
Rthjc (case)0.075 [°C/W]
Rthjc1 IGBT0.38 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.9 [°C/W]
PIN dimensiones0.00 [mm]

Alternativas y sustitutos

Alternativa 1:183781 - CCS050M12CM2 (CRE) 
Productos alternativos 1:CCB032M12FM3 

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