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MSCSM170AM058CT6LIAG

MOSFET 1700V Full SiC MOS + SiC Diode

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MSCSM170AM058CT6LIAG Microchip Technology - Microsemi
MSCSM170AM058CT6LIAG Microchip Technology - Microsemi
pcs
ID Code:186277
Fabricante:Microchip Technology - Microsemi
Precio con IVA : 1 333,4295 €
Precio sin IVA : 1 102,0079 €
VAT:21 %
Disponibilidad:a petición
Stock total:0 pcs
Fabricante de la marca: MSCSM170AM058CT6LIAG
Almacén central Zdice: 0 pcs
Almacén externo (tiempo de entrega 5÷10 días): 0 pcs
Unidad:: pcs
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CantidadPrecio sin IVAPrecio con IVA
1 + 1 102,0079 €1 333,4295 €
5 + 1 056,0630 €1 277,8362 €
10 + 1 010,1575 €1 222,2906 €
25 + 964,2520 €1 166,7449 €
MOSFET 1700V Full SiC Very Low Stray Inductance Phase Leg SiCThe following are the features of MSCSM170AM058CT6LIAG device:
. SiC power MOSFET
. Low RDS(on)
. High temperature performance
. SiC Schottky diode
. Zero reverse recovery
. Zero forward recovery
. Temperature independent switching behavior
. Positive temperature coefficient on VF
. Very low stray inductance
. Internal thermistor for temperature monitoring
. M4 and M5 power connectors
. M2.5 signals connectors
. AlN substrate for improved thermal performance

Información básica:

Fabricante de la marcaMSCSM170AM058CT6LIAG 
Type of casing:MODUL 
Caso:!_modul-t6li_! 
KategorieFull SiC (MOS+D) 
Tipo de componente:!_n-mosfet_! 
Configuración:!_half bridge_! 
Tipo de material:!_sic full_! 
Material BaseCu 
RoHSSí 
REACHNo 
NOVINKA
RoHS1Ano 
UL94V-0 

Embalaje y peso:

Unidad:pcs 
Peso:320 [g]
Tipo de envase:BOX 
Paquete pequeño (Número de unidades):

Parámetros electrofísicos:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1700 [V]
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)281 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)281 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)1.8 [VDC]
IR (reverse current)3000 [µA]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)1642  [W]
Input Logic Level (Ugs level)20V 
Rds(on) 10V (Ugs=10V)7.5 [mΩ]
trr recovery time (If=Inom.,@25°C)27 [ns]
tr (Turn-on / rise time)48 [ns]
tf (turn-off=fall time)30 [ns]
Ft (transition/operation frequency) (@Inom.)0.08 [MHz]
Qg (Total Gate Charge)1068 [nC]
Cin/CL Load Capacitance19800 pF

Parámetros térmicos y mecánicos:

Tmin (temperatura mínima de trabajo)-40 [°C]
Tmax (temperatura de trabajo máxima)175 [°C]
Rthjc (case)0.075 [°C/W]
Rthjc1 IGBT0.09 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.1 [°C/W]
PIN dimensiones0.00 [mm]

Alternativas y sustitutos

Alternativa 1:186152 - MSCMC170AM08CT6LIAG (MIS) 

!_souvisejici zbozi_! - MSCSM170AM058CT6LIAG

I+SEMITRANS3- 62x106=005W-AL I+SEMITRANS3- 62x106=005W-AL   Thermally Conductive Pad for insulated Packages as SEMITRANS-3 and in size 62x106mm
ID: 176035   Fabricante no.: F05-AL2-62x106mm  
Cantidad [pcs]1+10+50+100+
EUR/pcs1,77171,69291,65351,4567
Stock total: 540
Fabricante: -  
RoHS
Todos los precios aparecen sin IVA y no incluyen los costos, que se sumarán a la orden como un elemento independiente de envío.

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