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SK250MB120CR03TE2V1

MOSFET Modul 1200V, H-Bridge Full SiC

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SK250MB120CR03TE2V1 Semikron
SK250MB120CR03TE2V1 Semikron
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ID Code:186134
Fabricante:Semikron
Precio: a petición
VAT:21 %
Stock total:0 pcs
Fabricante de la marca: SK250MB120CR03TE2V1
Unidad:: pcs
MOSFET Modul 1200V, H-Bridge Full SiC
Typical Applications
• Switched Mode Power Supplies
• Energy Storage Systems
• Electric Vehicle charging
• UPS
• Solar
• Motor Drives

Información básica:

Fabricante de la marcaSK250MB120CR03TE2V1 
Tipo de componente:SiC MOSFET Tranzistor 
KategorieFull SiC (MOS-BD) 
Configuración:Half Bridge 1*(Phase Leg) 
Especificación:SiC N-Channel MOSFET 
Construcción:2*FET-BD 
Tipo de caso:Modul 
Caso [inch] :SEMITOP-E2 
Tipo de material:SiC Full 
RoHSSí 
REACHNo 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Embalaje y peso:

Unidad:pcs 
Peso:24 [g]
Paquete pequeño (Número de unidades):15 

Parámetros electrofísicos:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V]
Idc max (Tc/Ta=70÷79°C)223 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
Input Logic Level (Ugs level)15V 
trr recovery time (If=Inom.,@25°C)40 [ns]
tr (Turn-on / rise time)16 [ns]
tf (turn-off=fall time)16 [ns]
Qg (Total Gate Charge)708 [nC]

Parámetros térmicos y mecánicos:

Tmin (temperatura mínima de trabajo)-40 [°C]
Tmax (temperatura de trabajo máxima)125 [°C]
Rthjc (case)1 [°C/W]
L - Longitud 57 [mm]
W - Ancho 63 [mm]
H - Altura 17 [mm]

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