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SK35GD12T4ETE1
IGBT 1200V
Ya no está en stock
| ID Code: | 182131 |
| Fabricante: | Semikron |
| Precio: | a petición |
| VAT: | 21 % |
| Stock total: | 0 pcs |
| Fabricante de la marca: | SK35GD12T4ETE1 |
| Unidad:: | pcs |
IGBT 1200V
Información básica:
| Fabricante de la marca | SK35GD12T4ETE1 |
| Kategorie | IGBT Full Silicon |
| Configuración: | Bridge 3f -SE(single emiter) |
| Construcción: | 6*(IGBT+D) |
| Número de circuitos | 6 ks |
| Tipo de caso: | Modul |
| Caso [inch] : | SEMITOP-E1 |
| Tipo de material: | Si-Silicon |
| RoHS | Sí |
| REACH | No |
| NOVINKA | A |
| RoHS1 | Ano |
Embalaje y peso:
| Unidad: | pcs |
| Peso: | 24 [g] |
| Tipo de envase: | BOX |
| Paquete pequeño (Número de unidades): | 10 |
Parámetros electrofísicos:
| IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 43 [A] |
| Idc max (Tc/Ta=70÷79°C) | 35 [A] |
| Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 2500 [V] |
| UF (maximum forward voltage) | 2.3 [VDC] |
| UCE (sat) (@25°C) | 1.85 [V] |
| Cin/CL Load Capacitance | 1950 pF |
Parámetros térmicos y mecánicos:
| Tmin (temperatura mínima de trabajo) | -40 [°C] |
| Tmax (temperatura de trabajo máxima) | 175 [°C] |
| Rthjc (case) | 1.2 [°C/W] |