IGBT 1200V
ID Code: | 182143 |
Fabricante: | Semikron |
Precio: | a petición |
VAT: | 21 % |
Stock total: | 0 pcs |
Fabricante de la marca: | SK75GD12T4ETE2 |
Unidad:: | pcs |
Fabricante de la marca | SK75GD12T4ETE2 |
Kategorie | IGBT Full Silicon |
Configuración: | Bridge 3f -SE(single emiter) |
Construcción: | 6*(IGBT+D) |
Número de circuitos | 6 ks |
Tipo de caso: | Modul |
Caso [inch] : | SEMITOP-E2 |
Tipo de material: | Si-Silicon |
Material Base | Ceramic |
RoHS | Sí |
REACH | No |
NOVINKA | A |
RoHS1 | Ano |
Unidad: | pcs |
Peso: | 34 [g] |
Tipo de envase: | BOX |
Paquete pequeño (Número de unidades): | 10 |
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 84 [A] |
Idc max (Tc/Ta=70÷79°C) | 68 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 2500 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 2.49 [VDC] |
UCE (sat) (@25°C) | 1.85 [V] |
Qg (Total Gate Charge) | 570 [nC] |
Cin/CL Load Capacitance | 4400 pF |
Tmin (temperatura mínima de trabajo) | -40 [°C] |
Tmax (temperatura de trabajo máxima) | 175 [°C] |
Rthjc1 IGBT | 0.65 [°C/W] |
Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.77 [°C/W] |
L - Longitud | 57 [mm] |
W - Ancho | 63 [mm] |
H - Altura | 17 [mm] |